麻省理工學院（MIT）研究人員開發出一種方法，這項新技術能沉積鹵化物鈣鈦礦納米晶體（halide perovskite nanocrystals），並精確控制每個晶體的尺寸、數量和位置，從而將其集成到納米級LED （nanoLED）中。
研究人員展示了CsPbBr3納米晶體的確定性數組，其可調尺寸至小於50 nm，位置精度小於50 nm。
鹵化物鈣鈦礦是一系列材料，因為優異的光電特性及在高性能太陽能電池、LED和雷射等器件中的潛在應用而備受關注。
鹵化物過氧化物材料已主要應用於薄膜或微米尺寸的設備。如果能在納米尺度上精確地集成這些材料，能帶來更卓越的應用，如片上光源（on-chip light sources）、光傳感器（PD）和憶阻器（memristors）。根據MIT官網，這些高密度nanoLED數組可用於片上光通信和運算、量子光源、顯微鏡及AR/VR應用的高解析度顯示器。
其中一種可能應用是直接在基板上大規模製造Micro LED，這對Micro LED顯示器可能產生重大影響，這項技術可用於在顯示螢幕背板上製造LED，不需要轉移製程。
不過，在納米尺度上實現鈣鈦礦材料的集成上仍具挑戰性，因為這種材料可能被傳統製造和圖像化技術損壞。
為了克服這一障礙，MIT研究小組發明一種技術，可在需要的地方現場生長單個鹵化物鈣鈦礦納米晶體，並精確控制位置，尺寸小於50納米，而一張紙的厚度為10萬納米。由於材料是局部生長，所以不需要可能造成損壞的傳統微影步驟。
（首圖來源：MIT）
