SK海力士宣布，已開始量產238層4D NAND閃存，目前與生產智慧型手機的海外客戶正進行產品驗證。SK海力士強調，以此為基礎已開發出適用於智慧型手機和PC的客戶端SSD解決方案產品，並確保了成本、性能和品質方面的競爭力，期待可以在下半年起到改善公司業績的牽引作用。
SK海力士早在去年8月，就已宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存，並向合作夥伴發送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品。相比3D方式，SK海力士在4D架構晶片上採用了電荷捕獲型技術（Charge Trap Flash，CTF）和PUC（Peri. Under Cell）技術，具有單元面積更小、生產效率更高的優點。
238層4D NAND閃存是世界上最小體積的晶片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。其數據傳輸速率為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，晶片讀寫性能也有約20%的改善。
據了解，SK海力士計劃在完成智慧型手機客戶的驗證後，首先會向移動端產品供應238層NAND閃存，隨後將其適用範圍擴大到基於PCIe 5.0標準的PC平台SSD和數據中心級高容量SSD產品等。SK海力士表示，會繼續突破NAND閃存技術局限，並加強競爭力。
