韓國內存大廠三星宣布，推出業界最高容量12納米級32Gb DDR5 DRAM，是5月量產12納米級16Gb DDR5 DRAM後，再擴大12納米級DRAM產品線，相同封裝尺寸容量翻倍。三星稱新產品鞏固三星下代DRAM技術領導地位，也代表大容量內存的新時代。
三星DRAM產品與技術執行副總裁SangJoon Hwan表示，憑著12納米級32Gb DDR5 DRAM，三星獲得新解決方案，創建高達1TB的DRAM模塊，使三星滿足人工智慧（AI）和大數據對高容量DRAM市場日漸增長需求。三星也將繼續通過差異化製程技術和設計技術開發DRAM解決方案，突破內存技術的界限。
三星強調，12納米級製程使用新Kigh-K材料，有助提高電池電容，數據信號出現明顯的電勢差，更便於準確區分。降低工作電壓和減少噪音，也有助三星提供客戶更多解決方案。
三星之前12納米級32Gb DDR5 DRAM還需要用TSV（Through Silicon Via）製程，這次可不使用TSV下生產，兩者同為128GB模塊，後者功耗降低約10%，成為數據中心等注重能效企業的最佳解決方案。三星12納米級32Gb DDR5 DRAM年底量產。
(首圖來源：三星)
