隨著新一代Vera Rubin平台
進入量產階段，SK海力士和三星都將向英偉達供應HBM4。三星在昨天就已宣布量產HBM4，採用了4nm基礎裸片（Base Die）搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，並已向客戶出貨商用產品，領先於SK海力士和美光。
據TrendForce報道，性能是HBM4至關重要的指標，不過產能和良品率決定了下一代AI加速器是否能夠按時提供穩定供應，而今年整體HBM4供應動態大概率主要取決於英偉達的採購策略，也就是訂單的分配情況。按照最近一段時間的說法，SK海力士將占據Vera Rubin平台大部分HBM4訂單，份額可能在60%至70%，超過了之前50%的預期。
雖然SK海力士延續了HBM3E時代的強勢，拿到了過半的HBM4訂單，但是早期的可靠性評估顯示，SK海力士提供的HBM4想達到11Gbps級別速率有些困難，而SK海力士也一直在做改進。三星在英偉達的HBM4資格測試中處於領先位置，有著不錯的性能表現，可是1cnm DRAM晶片的良品率約為60%，短時間內也無法大幅提高產能，即便三星加速擴大生產線，也不足以滿足英偉達整體HBM4的需求。
市場已經更多地將關注點放到了英偉達的整體採購策略上，如果堅持11.7Gbps的規格，可能很難採購足夠數量的HBM4用於Vera Rubin平台。有業內人士透露，英偉達可能放寬HBM4規格要求，除了11.7Gbps，還將採購速率降一檔的10.6Gbps產品，以降低存儲器製造商的生產難度，從而確保HBM4的穩定供應。
