工研院與晶片製造龍頭台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性內存（Spin Orbit Torque MRAM，簡稱SOT-MRAM）數組晶片搭配創新的運算架構，適用於內存內運算，且功耗僅為STT-MRAM百分之一，並在國際電子組件會議（IEDM）共同發布論文，展現次世代內存技術的研發能量。
工研院指出，這次藉由工研院與台積電雙方共同合作，發布重要研發成果，引領產業加速躋身下時代內存技術領先群，維持台灣半導體的國際競爭優勢。
工研院電子與光電系統所所長張世傑指出，工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發布論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點的SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成內存內運算技術，進一步提升運算性能，跳脫MRAM以往以內存為主的應用場景。
張世傑表示，雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023，未來此技術可應用於高性能計算（HPC）、AI人工智慧及車用晶片等。
（首圖來源：工研院）
