在2024年2月21日舉辦IFS Direct Connect活動中，英特爾公布了新的工藝路線圖，新增了Intel 14A製程技術和數個專業節點的演化版本，並帶來了全新的英特爾代工先進系統封裝及測試（Intel Foundry Advanced System Assembly and Test）能力，以助力其客戶在人工智慧（AI）領域取得成功。與原來不同的是，英特爾在Intel 14A才會引入High-NA EUV光刻技術，而不是原來的Intel 18A。
據TomsHardware報道，近日英特爾首席財務官David Zinsner在花旗2025年全球技術、媒體和電信會議上表示，Intel 14A比Intel 18A更貴，雖然投資並沒有明顯提高，但是晶圓成本肯定會更高，部分原因是英特爾打算在Intel 14A上使用High-NA EUV光刻設備。
英特爾預計Intel 14A的每瓦性能比Intel 18A提高15%至20%，功耗則降低25%至35%。新製程工藝技術的特點是經過升級的全柵極場效應電晶體「RibbonFET 2」，另外還有PowerDirect直接觸點供電技術，有別於Intel 18A的PowerVia背面供電技術。Intel 14A另外一項關鍵創新是Turbo Cell技術，通過獨特的設計和靈活的電晶體排列優化關鍵路徑性能，從而提高CPU和GPU的頻率，可混合使用高速、低功耗單元以實現最佳PPA（功耗、性能和面積）平衡。
目前最新的High-NA EUV光刻機型號為TWINSCAN EXE:5200B，預計每台成本為3.8億美元，遠高於當前型號為TWINSCAN EXE:3800E的EUV光刻機。與現有的EUV設備（NA 0.33）相比，High-NA EUV的光學性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠製作出精密度高達1.7倍的電路圖案，並將集成度提升2.9倍。
根據產能的不同，一間採用尖端工藝技術生產晶片的現代晶圓廠的成本在200億至300億美元之間。雖然High-NA EUV光刻機很貴，但是比起來幾乎不會明顯增加晶圓廠的建廠成本。另一方面，Intel 14A工藝的研發成本就要數十億美元，一旦計劃有變，還會有額外的成本增加。
David Zinsner認為，首席執行官陳立武（Lip-Bu Tan）表達的意思就是如果英特爾不能從外部獲得Intel 14A的客戶，就很難證明該製程節點的合理性，即便英特爾自身是Intel 14A的大客戶，但是要考量需求的總和，確保其達到為股東創造合理投資回報率的水平。
