2024年初，英特爾宣布與聯華電子（UMC）建立戰略合作夥伴關係，雙方將合作開發12nm工藝平台，以應對移動、通信基礎設施和網路等高增長市場的需求。該項目將在2026年會完成相關的工藝開發和驗證工作，預計2027年投產。不過聯華電子似乎不滿足於此，去年傳出其考慮擴大與英特爾之間的合作，可能選擇在原有12nm工藝基礎上增加6nm工藝。
據Wccftech報道，英特爾可能已經與聯華電子展開新的合作，開發先進制造技術。不過這次傳出的並非去年的6nm工藝，而是更為先進的3nm工藝。聯華電子有意進入前沿半導體製造領域，預計相關生產工作將在英特爾位於美國亞利桑那州Octillo園區的晶圓廠進行，可利用現有設備降低前期投資並優化利用率，避免了投入大量資金購買新設備。
英特爾選擇與聯華電子合作，一方面是基於自身在美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，另一方面是看重對方在成熟製程節點上豐富的晶圓代工經驗結合在一起，比如為客戶提供工藝設計套件（PDK），以實現擴展的工藝組合。同時英特爾希望藉助聯華電子的幫助，提升競爭力，以便在全球代工市場中占據更大的份額，以加速追趕領頭羊台積電（TSMC）。
根據2026年第一季度全球晶圓代工的統計數據，聯華電子以3.9%的市場份額排在第四，僅次於中芯國際（SIMC）的5.1%。聯華電子在2017年宣布退出10nm及以下先進制程節點的開發，僅停留在14nm製程節點。可是隨著成熟製程節點的競爭加劇，加上人工智慧時代對採用先進工藝的晶片需求增加，聯華電子希望重新加入先進工藝的競爭。
