據wccftech報道，三星HBM4內存良率已提升至接近80%，達到行業所謂「黃金良率」水平，並增強了其挑戰SK海力士在AI內存市場領先地位的信心。
三星電子HBM4在今年2月開始量產時，良率一度低於60%，但經過產線優化後，半年內提升至約80%，提前達到原定年度目標。
三星HBM4採用12層堆疊設計，單堆棧最高可提供36GB容量，支持11.7至13.0Gbps速率，單堆棧頻寬最高可達3.3TB/s。此外，該方案還採用0nm級DRAM工藝（1c）以及4nm邏輯工藝，並相比HBM3E提升了功耗效率、散熱能力和耐熱表現。
隨著良率提升，三星已提高HBM4相關營收預期，並計劃擴大該內存產品在旗下HBM業務中的占比。同時，三星也在推進下一代HBM4E研發，其可靠性測試良率據稱已達到70%，目標是在未來AI加速器市場中進一步擴大競爭力。
目前，AMD已經在Instinct MI400平台中採用三星HBM4方案，而三星也希望憑藉HBM4E爭取更多高端AI晶片客戶。隨著AI計算需求持續增長，HBM內存市場的競爭正逐漸從SK海力士一家領先，轉向三星、SK海力士等廠商之間的正面競爭。
