隨著人工智慧（AI）工作負載的推動，對應用場景有著更為專業的儲存需求，需要不同的解決方案。為此三星打算擴展其下一代NAND快閃記憶體產品線，並推進相關的產品早期開發工作，以滿足不同場景下的性能需求。
據TrendForce報道，目前三星正在開發三款zNAND產品，包括zNAND-O、zNAND-T和zNAND-I，各自針對不同的AI應用。
雖然目前三星還沒有正式宣布zNAND-T和zNAND-I，但是可以了解到，zNAND-T專注於大容量、高性能AI數據中心應用，提供高吞吐量和頻寬。zNAND-T與zNAND-O類似，採用了垂直堆疊的NAND快閃記憶體晶片，通過矽通孔（TSV）連接，這種架構與高頻寬快閃記憶體（HBF）相關。另外zNAND-I旨在提供最高的IOPS，即儲存設備每秒可完成多少讀寫操作的指標，反映了單個操作執行的頻率，適用於特別需要頻繁訪問少量臨時數據的AI推理工作負載。
三星已經在今年8月的一次行業活動上，介紹了zNAND-O的設計。其兼顧高空間效率、低延遲與優異I/O性能，專為支持實時數據密集型AI應用的邊緣計算環境而設計，目標是將DRAM般的速度與NAND快閃記憶體的高儲存容量結合起來，滿足生成式AI和LLM日益增長的數據處理需求。按照三星的計劃，2028年將會提供zNAND-O樣品。
三星並非唯一針對不同AI工作負載開發NAND快閃記憶體產品的儲存器製造商，SK海力士也在2025年下半年逐步構建起AI-NAND（AIN）系列，涵蓋AIN P（性能）、AIN D（密度）和AIN B（頻寬）。其中AIN P目標為高達100M IOPS，AIN D優先考慮儲存密度，目標達到PB級別，AIN B則專注於頻寬，類似於HBF。
