過去幾年裡得益於人工智慧（AI）熱潮，高頻寬記憶體（HBM）得到了長足的發展，疊代速度明顯加快，成為了市場上最受追捧的DRAM技術之一。去年SK海力士憑藉著向英偉達大規模供應HBM3和HBM3E，一度超越三星領跑DRAM市場。
據Wccftech報道，三星正在開發一種獨特的封裝技術，能讓智慧型手機和平板電腦使用HBM晶片，為移動設備打造高性能AI終端產品。
傳統移動DRAM使用的銅線鍵合技術，使得I/O引腳數量僅限於128至256個，這意味著在提升能效和降低發熱量的同時，也存在較大的信號損耗。三星計劃使用超高長寬比銅柱結合扇出型晶圓級封裝（FOWLP），來提升耐熱性及增強持續工作負載的性能。
通過三星的垂直銅柱堆棧（VCS）方面的創新，DRAM晶片能以「階梯」結構堆疊，確保HBM在移動設備中克服尺寸限制，發揮出自身優勢。據了解，三星已經將垂直銅柱堆棧中銅柱的長寬比從現有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，不過這種方法會導致銅柱直徑減小。如果直徑低於10微米，那麼銅柱可能會彎曲甚至斷裂，這時候扇出型晶圓級封裝技術就派上用場了，可以通過外延伸銅線來增強結構完整性，另外還能增加I/O引腳數量，帶來30%的頻寬提升。
暫時還不清楚三星什麼時候應用新技術，從時間表來看，可能集成到Exynos 2800或者Exynos 2900。傳聞蘋果也考慮將HBM引入到iPhone，不過不確定是否會選擇三星的這項技術。考慮到當前的DRAM行情，預計只有等價格穩定後才討論這種可行性。
