英特爾發布了一項關於其XBM內存的新專利，被認為是HBM4的替代方案，能夠帶來更高的頻寬。過去幾年裡，HBM一直是AI加速器的標準配置，不過現在部分產品改用了LPDDR，以便在供應短缺、價格、以及功率等方面取得平衡。
雖然LPDDR更高效、容量也更大，但是也存在頻寬不足的問題。前一段時間高通提出了HBC架構，將計算與高速內存頻寬結合，採用3D堆疊晶片解決方案。相較於HBM，HBC提供了更快、更高效、更具可擴展性的處理。HBC堆棧通過2D有機基板與SoC相連，HBC堆棧底部為近內存加速器單元，再利用矽通孔（TSV）技術在上面加入LPDDR DRAM堆棧。
今年初英特爾宣布與力積電（PSMC）及軟銀子公司SAIMEMORY合作，開發名為「Z-Angle Memory（ZAM）」的新型儲存技術，不過尚未進入商業化階段。XBM看起來是英特爾提出的一個新的HBM級競爭方案，預計2030年前後實現商業化。
根據英特爾的描述，XBM採用了後段電晶體設計，包括一個封裝基板、一個可選的基礎晶片、以及一個堆疊的儲存晶片。堆棧里的每個儲存晶片均採用1T1C（1個電晶體和1個電容）結構的DRAM，電晶體則移至BEOL（Back-End-Of-Line，後端金屬互連層），以提高面積利用率和TSV（矽通孔）密度，相比傳統前端電晶體DRAM有著明顯的頻寬提升。
XBM將採用Cross-Batch Memory（跨批次內存）方案，連接到一個32 GT/s速率的UCIe I/O模組，成本相比HBM4會更低。每個XBM晶片的容量在0.5GB-5GB之間，封裝尺寸與HBM 4保持一致。XBM的另外一個優勢是可以支持多種封裝選項，包括MoP，意味著能在更小的形態解決方案中可以提供更高的頻寬和容量。
從目標定位、性能指標和商業化時間表來看，業界猜測XBM與ZAM密切相關。
