英特爾25日宣布，業界領先的半導體封裝解決方案已經開始大規模生產，其中還包括英特爾突破性的3D Foveros先進封裝技術。
英特爾表示，這一技術是在最新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9進行生產的。英特爾公司執行副總裁兼全球首席運營官Keyvan Esfarjani表示，先進封裝技術讓英特爾脫穎而出，幫助我們的客戶在晶片產品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優勢。
英特爾強調，隨著整個半導體產業進入在單個封裝中集成多個小晶片（Chiplets）的一直集成時代，英特爾的3D Foveros和2.5D EMIB等先進封裝技術將可以完成在單個封裝中集成一兆個電晶體，以便在2030年之後繼續持續推動摩爾定律的前進。
根據英特爾的講解，英特爾的3D Foveros先進封裝技術在處理器的製造過程中，能夠以垂直而非水準方式堆棧計算模塊。此外，3D Foveros讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計算晶片，優化成本和能效。英特爾進一步指出，為滿足市場需求，規劃到2025年時，其3D Foveros先進封裝的產能將增加四倍。
事實上，當前包括AI運算在內的高性能計算市場需求大幅提升，目前晶片代工龍頭台積電的CoWoS先進封裝產能也正在積極的擴產其中。根據市場消息指出，根據估算，排除Amkor等添加產能，台積電2024年底CoWoS月產能將達3.2萬片，2025年底再增至4.4萬片。而隨著英特爾宣布量產3D Foveros先進封裝技術，預計接下來的先進封裝市場發展也將更趨激烈。
(首圖來源：英特爾)
