近日，賓夕法尼亞大學的研究人員開發了一種全新耐高溫存儲設備，這種設備可以在600℃的高溫下保持穩定性，讓存儲其上的數據不會丟失。這種存儲設備改變了目前矽基閃存200℃下就會失效的問題，後續可能會被運用於製作大規模AI系統的內存。
據開發人員之一的Deep Jariwala介紹，該耐高溫存儲設備主要使用氮化鋁鈧（AIScN）材料進行製造，這種材料擁有更穩定更強大的化學鍵，能在高溫下保持穩定，十分耐用。存儲設備本身由「金屬-絕緣體-金屬」結構組成，通過一層45nm厚的氮化鋁鈧（AIScN）將金屬鎳電極和金屬鉑電極結合在一起。Jariwala還說，氮化鋁鈧（AIScN）層的厚度是製成這種內高溫存儲設備的關鍵，「如果它（AIScN）太薄，那增強的活性會驅使擴散並導致材料退化。如果太厚，則我們尋找的鐵電開關性能就會喪失，因為開關電壓隨厚度尺度變化，並且在實際工作環境中存在這一方面的限制」。
Jariwala稱，這種耐高溫存儲設備可以解決目前晶片架構設計中一個關鍵缺陷，即中央處理器和內存分離而導致的效率低下，因為運算數據必須在兩者之間傳輸，這個缺陷對需要處理大量數據的AI應用程序影響尤為明顯。新存儲設備允許內存和處理器更加緊密地集成在一起，降低數據傳遞時間，從而提升計算速度、複雜性和效率，研發團隊稱之為「內存增強計算」。未來大規模AI系統建設時可使用這種存儲器作為內存，可有效提高運行穩定性和計算效率。
