英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣布，在先進半導體製造領域取得了一個關鍵的里程碑，已在美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導體技術研發基地完成了業界首台High-NA EUV光刻機組裝工作。目前英特爾正在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
去年末，ASML向英特爾交付了首台High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。英特爾將其作為試驗機，可以更好地了解High-NA EUV設備的使用，獲得寶貴的經驗。High-NA EUV光刻機將提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。
英特爾院士兼英特爾晶圓代工邏輯技術開發光刻、硬體和解決方案總監Mark Phillips表示，隨著High-NA EUV的加入，英特爾將擁有業界最全面的光刻工具箱，使其能夠推動Intel 18A以外的未來製程工藝進入本十年（2021年至2030年）的後半段。
新工具能夠通過改變將列印圖像投射到矽晶圓上的光學設計，顯著提高下一代處理器的解析度和功能縮放。當與英特爾晶圓代工的其他工藝技術功相結合時，High-NA EUV有望列印現有EUV工具1.7倍一維密度的功能。這意味著在二維特徵縮放上，可實現1.9倍的密度提升。
High-NA EUV光刻技術將在先進晶片開發和下一代處理器的生產中發揮關鍵作用，英特爾打算在Intel 14A工藝引入，最快會在2026年到來。在此之前，英特爾將繼續優化先進的工藝技術，以進一步提高性能和成本效益。
