近日，SK海力士CEO郭魯正發出預警，稱2027年將成為儲存行業歷史上供應形勢最為嚴峻的一年，當前由內存漲價引發的市場震盪或許才剛剛開始。
據《Business Times》報道，2027至2028年間，儲存相關晶圓產能預計年均增長約12%，但其中近半數將被高頻寬內存（HBM）擠占。數據顯示，三星2026年HBM出貨量預計為120億Gb，2027年將激增至200億Gb;SK海力士2026年預計出貨180億Gb，2027年則將達240億Gb。HBM對晶圓資源的「吞噬效應」，正持續壓縮常規DRAM的產能空間。
供需剪刀差由此形成：2027至2028年，非HBM DRAM的位元增長率預計被限制在年化15%，而同期市場需求增速卻高達22%，供應缺口將達7個百分點。
產能釋放節奏同樣不容樂觀。三星P5 Fab 1雖計劃於2027年7月投產，但P5 Fab 2及龍仁另一座工廠直至2029年方能量產。SK海力士龍仁Y1工廠預計2027年2月投產，Y2工廠則要等到2028年下半年。這意味著短期內新增產能難以有效填補供應缺口。
作為潛在變量，長鑫儲存向DDR6的轉型計劃或帶來一定緩解，但目前其量產時間表尚不明朗，且產品是否面向中國以外市場供貨仍未確定。
值得注意的是，威剛董事長陳立白日前也駁斥了AI泡沫論，強調未來十年「最缺電力和內存」。他認為三大原廠擴產策略理性，不會出現無序擴張，並預判內存價格在下半年仍將維持上漲態勢。
