荷蘭商艾司摩爾 (ASML) EUV曝光機為先進半導體生產關鍵，ASML有序執行藍圖，首階段是標準EUV後迎接High-NA EUV，去年底ASML就交貨英特爾首套High-NA EUV。ASML上周又證實，年底交貨台積電High-NA EUV。半導體業剛準備邁入High-NA EUV時代，ASML又開始研究下代機台Hyper-NA EUV，尋找合適解決方案。
EETimes報道，ASML公布下代機台Hyper-NA EUV藍圖，目前為開發早期階段。ASML前首席技術官Martin van den Brink 5月imec ITF World演講表示，長遠來說，Hyper-NA EUV需改進光源系統，須采Hyper-NA基礎，同時還需將所有系統生產效率提升到每小時400-500片晶片。
ASML計劃2030年推出Hyper-NA EUV，數值孔徑達0.75。High-NA EUV數值孔徑0.55，標準EUV是0.33。精確度提高，可有更高解析度圖案化及更小電晶體特徵。對ASML而言，Hyper-NA技術還能推動整體EUV平台，改善成本和交貨時間。
Hyper-NA EUV一定會遇到新挑戰，如光阻劑要更薄。照imec圖案化項目總監Kurt Ronse說法，High-NA EUV應可包括2-1.4納米節點，再到1-0.7納米節點，之後由Hyper-NA EUV繼續。
2022年接受媒體採訪時，Martin van den Brink表示，ASML研究Hyper-NA EUV主要目標是提出智能解決方案，成本和可製造性方面都保持可控。Martin van den Brink擔心成本許可製造性代價可能高得驚人，如果製造成本增長速度與High-NA EUV一樣，商業化從經濟面看幾乎不可行。
不過Martin van den Brink 2023年再談到Hyper-NA EUV時，似乎更有信心，認為Hyper-NA EUV是機會，成為2030年後新願景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV雙重曝光的成本更低，也為DRAM產業帶來新機會。
(首圖來源：ASML)
