當下隨著端側AI大模型的快速普及，智慧型手機內存頻寬不足的問題日益凸顯。
據科技媒體最新消息，華為、小米等中國手機廠商正在研發一種名為「低延遲寬字節DRAM」（LLW）的新型內存技術，商用時間預計在在2027年下半年。
傳統的高頻寬內存（HBM）雖然性能強大，但由於智慧型手機內部空間緊湊，加上難以解決的散熱問題，一直無法在移動設備上落地。
而LLW技術採用了類似HBM的整合式設計思路，但並非真正的HBM，而是專門針對手機受限的空間與散熱條件定製化的版本，目標是解決現有LPDDR內存的性能瓶頸問題。
根據曝料，LLW內存理論上能夠帶來約1.5倍的性能提升，同時將功耗降低50%。不過原始報道並未明確指出這些指標的比較基準，外界普遍假設是以當前主流的LPDDR5X內存為參照。
這意味著如果參數屬實，手機在運行大型AI模型時，不僅運算速度會大幅提升，發熱和續航表現也將得到顯著改善。
業內分析認為，隨著手機端側AI模型參數不斷攀升，單純提升NPU算力已經無法滿足需求，內存系統正成為制約體驗提升的最大短板。LLW等新型內存技術的出現，將為手機AI帶來質的飛躍。
不過，目前LLW技術仍處於傳聞階段，量產良率、成本控制和生態適配等關鍵問題都還未明朗，所有細節都有待官方和供應鏈的進一步證實。
