隨著行業推進到10nm以下級別的先進制程節點，DRAM擴展變得越來越複雜。除了運用到更為先進的EUV光刻機外，DRAM製造商還研究引入新結構、新技術、以及新材料，其中包括了4F²單元結構。相比於6F²單元結構，新結構能在相同晶片尺寸內將單元密度提升了30%至50%。此前長鑫儲存（CXMT）已宣布，今年末將推出融合4F²單元結構與混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM產品。
近日美光（Micron）介紹了其下一代DRAM和NAND快閃記憶體產品的開發情況，未來將為其客戶和企業提供相應的解決方案，同時推動人工智慧的發展。其中備受關注的是，美光宣布終止4F²單元結構的DRAM開發，選擇繼續擴展6F²單元結構，同時將3D DRAM作為長期替代方案。
美光總裁兼首席技術與產品官Scott DeBoer表示，4F² DRAM這一發展路徑一直以來都是可選的解決方案，但是過去20年裡，隨著其複雜性和成本不斷增加，經過評估後，最終選擇放棄推進該項目。
第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM節點是美光首款採用EUV光刻技術打造的解決方案，現在已實現了量產。美光正在推動第七代10nm級別1δ（1-delta）DRAM節點的量產工作，已處於良品率爬坡階段，預計帶來25%的儲存密度提升，另外打算在第八代10nm級別1ε（1-epsilon）DRAM節點引入晶圓鍵合技術。
與此同時，美光第一代亞10nm級別ζÅ DRAM節點已進入早期開發階段，將導入High-NA EUV光刻技術，而第二代亞10nm級別ηÅ DRAM節點已經在路上，計劃採用新的材料。
美光確認2028年在HBM5發布之際，還將帶來兩種新的DRAM，分別是vHBM和vEIM，三者將共存。其中vHBM整合了基礎裸片、垂直堆疊DRAM、以及XPU晶片，類似於3D集成HBM；vEIM面向端側AI推理應用，初代產品以實現2TB/s頻寬和＜1pj / bit能效為目標。
美光還預告了G11 NAND技術，堆疊層數超過了400層，將採用晶圓鍵合技術，計劃2027年下半年開始產能爬坡。與目前的G9 NAND技術相比，新技術的儲存密度提升了一倍，同時I/O速率是之前的1.5倍，能耗可降低25%以上。
