SK海力士宣布，推出「iHBM
」技術。其通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件「ICE」，顯著降低產品運行時的發熱量。
隨著AI算力需求持續激增，HBM不斷通過增加堆疊層數、提升運行速度來實現性能的疊代升級，同時也帶來發熱量攀升的難題。有效控制連接HBM與GPU的D2D PHY區域的功率密度，成為了下一代HBM技術競爭力的核心。
iHBM技術的特點在於，從結構層面根本性解決上述散熱難題。iHBM直接在熱量最為集中的D2D PHY區域內嵌入熱控元件（ICE），構建專用熱量排出通道（Heat Path），取代了傳統HBM依賴熱量經由核心晶片（Core Die）向外傳導的間接散熱方式。相比於傳統方案，iHBM讓熱阻（Thermal Resistance）降低了30%以上，並確保了產品在高溫、高負載環境下的穩定運行特性。
由於採用經市場充分驗證的先進MR-MUF4晶圓級封裝（WLP）工藝，使得iHBM技術在量產可行性方面也具備顯著優勢，能實現穩定規模化量產。另外iHBM技術與客戶現有系統級封裝（SiP）環境具備高度設計兼容性，無需大規模改動設計，即可直接部署，從而降低了導入門檻。
SK海力士計劃將iHBM技術應用於HBM5等下一代產品，以滿足高性能計算（HPC）、AI數據中心等超高度集成、高頻寬應用場景的嚴苛散熱管控需求，進一步提升整體系統的穩定性與運行效率。
