三星位於西安的NAND快閃記憶體工廠是其唯一的海外儲存晶片生產廠，也是最大的儲存晶片生產基地。作為全球單個產能最高的NAND快閃記憶體工廠，占據了三星約40%的NAND快閃記憶體產量。三星去年開始升級西安工廠的生產線，已經完成第一階段的升級工作，可生產236層第8代
V-NAND快閃記憶體。傳聞今年內將有第二階段升級，以支持286層第9代V-NAND快閃記憶體的生產。
據TrendForce報道，三星在今年3月底已經開始生產第8代V-NAND快閃記憶體，並逐漸減少128層第6代V-NAND快閃記憶體的產量。三星正在推進新的投資，開始建設適配第9代V-NAND快閃記憶體生產的潔淨室，下半年工程將提速，預計今年內完成建設。三星的目標是2027年開始生產第9代V-NAND快閃記憶體，將在一段時間內與第8代V-NAND快閃記憶體並行生產。
另外三星也在準備第10代V-NAND快閃記憶體，不過生產方面優先考慮韓國國內。雖然去年有報道稱，三星計劃今年上半年開始建設第10代V-NAND快閃記憶體的生產線，並在下半年開始量產，但是似乎並沒有任何實質性的進展，看起來新一代儲存技術仍存在不確定性。
TrendForce的最新研究報告顯示，三星是2026年第一季度的頭號NAND快閃記憶體供應商，營收環比增長高達104.7%，升至135.1億美元，市場份額也從28%提升至31.6%，牢牢占據該領域市場份額第一的位置。
