英飛凌（Infineon）宣布，已成功在奧地利菲拉赫的工廠將300mm碳化矽（SiC）晶圓加工成功能性功率器件，成為了全球首個完成這一創舉的半導體公司。這一成就體現了英飛凌對為客戶提供高性能碳化矽功率半導體產品組合，以及確保長期供應的高度重視。
與目前的200mm晶圓相比，300mm晶圓的生產技術更先進，效率也更高，因為更大的晶圓直徑允許每片晶圓生產更多的晶片，可達到原來的2.3倍。這次英飛凌成功地將300mm碳化矽晶圓從實驗室帶入到製造環境中，取得了重大進展，這一技術里程碑進一步鞏固了其在電力系統領域的領導地位。
英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示，在功率半導體領域的領導地位意味著要不斷將技術推向新的高度，憑藉矽、氮化鎵、以及如今的300mm碳化矽晶圓，英飛凌在擴大半導體製造規模和推動盈利性增長方面處於領先位置。
碳化矽的材料特性使得在高電壓高溫下實現更低的功率損失、更高的功率密度、更高效的運行，是實現高效功率轉換的關鍵半導體材料，可用於牽引逆變器、車載充電器、電動汽車充電器、大規模儲能、以及不間斷電源等。隨著數據中心需求上升，碳化矽將承擔新的角色，而英飛凌將通過廣泛的產品組合來滿足這些需求。
與此同時，英飛凌還在其德國德勒斯登工廠里成功驗證了300mm碳化矽冷分片技術的可行性，可提升晶錠到晶圓工藝的效率，減少加工損耗，而且還可以顯著縮短處理時間，資本支出更少。英飛凌能夠根據市場需求擴展碳化矽技術，以滿足客戶不斷變化的需求。
