台積電將在2024年底之前從ASML接收首批高數值孔徑極紫外 (High NA EUV) 微影曝光機，這代表台積電將轉向下一代製程技術。
雖然一開始有消息傳出台積電並沒有購買ASML High-NA EUV曝光機的計劃，主要原因是在台積電的台灣工廠集成設備和安置機器的相關成本較高。 但是，後來還是傳出台積電還是向ASML購買了High-NA EUV曝光機，以維持技術上的領先。
《日經亞洲》報道稱，台積電的High-NA設備預計將於今年交付，據悉，台積電將接收ASML的Twinscan EXE:5000 High-NA曝光機，其解析度為8納米，EUV光波長為13.5納米。 該系統將使晶片製造商生產的晶片體積縮小1.7倍，電晶體密度提高2.9倍。 ASML表示，Twins can EXE:5000擁有業界最高的生產率，因此對於台積電來說，是保持晶片代工領先的必經之路。
台積電購買單單一台這種機器的成本就高達約3.5億美元，在實施方面，台積電的High-NA EUV將在該公司計劃於2027年量產的1.4納米（A14）製程中大顯身手。考慮到英特爾正計劃購買五到六台高High-NA EUV設備，後者也正全力以赴發展下一代技術。
