越來越多的DRAM製造商開始轉向定製HBM
，開始將該類產品視為下一個重要的營收增長引擎。作為三大原廠之一，美光自然也有這方面的打算。AMD和英偉達計劃在未來的AI加速器中採用定製HBM，以提升性能，降低延遲，隨後博通和聯發科等廠商也會跟進。
據TrendForce報道，近日美光執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana在出席公開活動時表示，美光向定製HBM轉變將從HBM4E時代開始，計劃與客戶合作開發定製產品。
更值得注意的是，考慮到定製HBM設計和認證涉及大量時間、研發和成本，Sumit Sadana認為客戶不太可能在每個項目中同時與三家HBM供應商合作，這或將推動市場向雙供應商甚至單一供應商模式發展，整個HBM供應格局可能面臨重大變化。
過去HBM的基礎裸片（Base Die）都是使用DRAM工藝製造，但是從HBM4時代開始將轉移到代工廠，改用邏輯晶片的工藝，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。預計首批定製HBM是基於HBM4的設計，三星已經選擇了自家的代工廠生產基礎裸片，而SK海力士則選擇與台積電（TSMC）合作。
不過與三星和SK海力士的情況不同，美光出於成本方面的考慮，HBM4仍然採用與DRAM一樣的內部CMOS工藝生產基礎裸片，直到HBM4E才轉換到台積電。從這點來看，美光在定製HBM方面的進度可能會落後一些。
