根據韓國媒體TheElec報道，與三星的3納米製程相較，2025年即將量產三星2納米製程技術將會多出30%的極紫外光（EUV）曝光層。
報道指出，三星於2018年首次開始在其7納米節點製程上開始使用EUV曝光技術，從那時起，隨著轉移到5納米，再到3納米節點，三星在晶片生產過程中的EUV曝光層的數量或EUV技術的步驟數量也在持續增長。
報引導用消息人士的說法表示，三星的2納米節點製程已經增加到了20層的EUV曝光層。而三星的1.4納米節點製程則預計將有30多個EUV曝光層。在此同時，三星也將EUV曝光設備應用於其DRAM生產上。其中，三星為其第6代10納米級的DRAM應用了多達7個EUV曝光層，而SK海力士則應用了5個EUV曝光層。隨著越來越多的晶片製造商擴大其EUV技術步驟，光阻劑、空白光罩等相關產業也有望增長。
根據三星之前公布的製程技術發展路線圖顯示，預計2納米製程的SF2在2025年推出，較第二代3GAP的3納米節點製程，相同運計算時脈和複雜度情況下，可降低25%功耗。或是相同功耗和複雜度情況下，可提高12%計算性能，減少5%晶片面積。
另外，接下來的2納米SF2Z製程採用了優化的背面供電網路 (BSPDN) 技術，該技術將電源供應路線設置於晶片背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸。與第一代2納米節點技術的SF2相較，將BSPDN技術應用於SF2Z不僅可以提高功率、性能和降低晶片 (PPA)，還可以顯著降低電壓 (IR降)，進而提高HPC晶片設計的性能。SF2Z預計將在2027年開始進行量產。
三星還公布了其他2納米製程技術的發布日期，包括用於移動領域的SF2和SF2P將分別於2025年和2026年推出。至於，針對人工智慧和高性能運算的2納米節點製程則將於2026年推出，較早於BSPDN技術。甚至，三星還將於2027年推出用於汽車電子領域的SF2A製程技術。
(首圖來源：官網)
