美商內存大廠美光在21日發布截至2月29日2024財年第二季財報，DRAM和NAND Flash等產品未來與現狀介紹。DRAM方面，美光導入EUV製程下代1-gamma製程DRAM已試產，下代NAND Flash閃存開發也按計劃進行，目標2025年完成量產目標。
美光表示，四分之三DRAM內存顆粒仍在1-alpha/beta節點生產，NAND Flash閃存則有90%產能位以176 /232層製程生產。應用分析，傳統伺服器內存，美光業界率先完成單層結構的32GB晶片128GB伺服器內存驗證，預計半年內內存模塊就可達數億美元營收目標。達更高速率MRDIMM產品，美光宣布開始驗證256GB單條。
LPCAMM2模塊產品，美光表示伺服器產業也採用，保持LPDDR高帶寬、低功耗優勢同時，也能擁有可插拔特性。伺服器LPCAMM2模塊容量可達128GB。
消費性存儲產品方面，美光表示消費性固態硬盤產品QLC顆粒出貨量創新高，占整體出貨量三分之二，鞏固消費性QLC固態硬盤領導者地位。美光2022年初就推出OEM/SI的2400系列PCIe Gen4 QLC固態硬盤，消費級品牌也於同年9月推出P3（Plus）固態硬盤，部分采QLC內存。
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