今年初有報道稱，三星將從第10代V-NAND閃存開始，採用長江存儲（YMTC）的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。除了NAND閃存晶片引入混合鍵合技術，三星還打算擴展到DRAM晶片。
據EBN報道，三星已經將混合鍵合技術引入到第六代HBM產品，也就是HBM4，早於競爭對手SK海力士。這不僅顯著改善了發熱問題，而且還明顯提升了I/O數量。隨著堆疊層數的增加，需要縮小晶片之間的間隙，引入混合鍵合技術可以縮小間隙，滿足需要更多垂直堆疊層數的HBM產品的生產。
目前SK海力士採用的是MR-RUF技術，將半導體晶片附著在電路上，使用EMC（液態環氧樹脂模塑料）填充晶片之間或晶片與凸塊之間的間隙。相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技術，需要高溫高壓將材料固化再熔化，然後進行清洗。這個過程涉及2-3個步驟，而MR-RUF技術可以在不需要清洗的情況下一步完成整個過程。
混合鍵合是一種3D集成技術，使用特殊材料填充和連接晶片，不需要凸塊。這種材料類似於液體或膠水，將提供散熱和晶片保護，從而實現更薄的整體晶片堆棧。與傳統的基於凸塊的堆疊相比，具有更低的電阻和電容、更高的密度、更好的熱性能、以及更薄的3D堆棧。
不過混合鍵合技術現階段也存在一些問題，比如成本較高，所需的專用設備比傳統封裝工具貴得多，並且需要更多的晶圓廠物理空間。這樣會影響資本效率，尤其是在晶圓廠占地面積有限的情況下，這也是存儲器供應商謹慎行事的主要原因之一，因此SK海力士暫時也只是將混合鍵合作為備用工藝。
