近日三星宣布擴大與ASML（阿斯麥）的長期戰略合作關係，深化在High-NA EUV光刻和先進半導體製造技術方面的合作，推動AI時代的下一代創新，計劃2028年首次引入High-NA EUV光刻技術，用於DRAM晶片製造。台積電（TSMC）也宣布與ASML展開合作，推動行業轉移升級至向更大尺寸的High-NA EUV光罩/掩膜，從6英寸轉移至12英寸，打算2030年起，在邏輯晶片製造中引入High-NA EUV光刻技術。
據TrendForce報道，2028年或許將成為DRAM製造商的里程碑時刻，SK海力士也打算與三星同一年引入High-NA EUV技術，用於DRAM晶片生產。其提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。同時還能避免多重曝光，減少生產步驟，提高生產效率。
SK海力士在2021年首次採用EUV技術，用於1αnm（第四代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，隨後逐步擴大應用範圍。目前SK海力士已經推進到1cnm（第六代10nm級別）工藝，正在加速轉型，為HBM4E量產做好準備。2026年第二季度1cnm工藝約占SK海力士DRAM產能的13%，到第四季度將再到34%。預計到2027年第一季度，1cnm將首次超越1bnm，成為SK海力士第一大DRAM工藝。
三大原廠之一的美光去年首次推出基於第六代10nm級別1γ（1-gamma）工藝的產品，屬於16Gb DDR5 DRAM，也是其首次將EUV技術應用於DRAM量產中。美光曾表示，計劃在第七代10nm級別1δ（1-delta）工藝上導入最新一代的EUV光刻設備，不過一直沒有落實時間表。
