數個月前，閃迪（SanDisk）與SK海力士（SK hynix）共同發布了下一代儲存技術高頻寬快閃記憶體（HBF，High Bandwidth Flash）的首個標準規範。HBF是介於HBM和固態硬碟之間的新型儲存層級，不僅具備與HBM類似的高速數據傳輸能力，還可基於NAND快閃記憶體大幅提升容量。通過將HBM級別的讀取頻寬結合其8-16倍的容量，HBF有望解決AI的「儲存牆」問題。
據Wccftech報道，閃迪與SK海力士正在合作開發一個HBF的原型設計，每個單元的容量為512GB，對應頻寬可在0.4TB/s至3TB/s之間，預計2028年或2029年實現商業化推廣。分析指出，典型的8層堆疊HBF的每GB成本大概在0.64美元，相當於8層堆疊HBM4（每GB成本6.78美元）成本的十分之一。
如此明顯的成本差異可以讓HBF適配多種場景，考慮到8層堆疊HBF所使用的晶圓數量是典型TLC NAND快閃記憶體的6.5倍，這意味著HBF進入商業化階段後將占用相當部分的產能，壓縮普通NAND快閃記憶體的供應，在可預見的未來，很難讓SSD變得更便宜。
按照之前的說法，HBF的主要優勢在於容量而非性能，可被視為大容量內存技術，以應對那些需要大容量內存但頻寬消耗較小的工作負載。在相同成本和功耗下，用HBF替代HBM大約能增加14倍的內存容量，但是HBF總頻寬大概為HBM的60%。
