去年有報道稱，包括三星、SK海力士和美光在內的DRAM製造商早已啟動了DDR6的開發工作，專注於晶片設計、控制器驗證和封裝模組集成。DRAM製造商已經完成DDR6原型晶片設計，正在與英特爾和AMD等內存控制器和平台廠商合作進行接口測試。
據The Elec報道，三星、SK海力士和美光這些DRAM製造商最近已經與基板供應商協調DDR6內存模組的開發工作，包括厚度、堆疊結構和布線等。目前DDR6原型產品正在生產和驗證當中，這部分工作也是在JEDEC固態技術協會監督下進行的。
JEDEC於2024年提供了DDR6初步草案，在性能和架構方面取得了重大進步。其轉向多通道設計，採用4×24位子通道，有別於DDR5的2×32位設置，這將會帶來更好的並行處理、數據流和頻寬利用率，當然也對模組I/O設計和信號完整性提出了更高的要求。
預計DDR6的速率從8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能擴展至21 Gbps。同時DDR6支持新的CAMM2標準，取代長期使用的SO-DIMM和DIMM標準，提供了更高的頻寬、更高的密度、更低的阻抗和更纖薄的外形尺寸，也解決了傳統內存插槽的物理限制。
目前業界已經完成了向DDR5的過渡，去年在伺服器市場的占比超過了80%，今年預計達到90%。原本JEDEC可以更早地發布DDR6標準規範，但是一些主要規格遲遲未能敲定，包括厚度、信號使用、功率範圍和引腳設計等。隨著DRAM製造商加速DDR6標準產品的開發，這一情況將有所改變，預計2028年至2029年之間實現商業化。
