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受益高性能內存需求增加,SK海力士第三季虧損持續減少

2023年10月26日 首頁 » 熱門科技

受益高性能內存需求增加,SK海力士第三季虧損持續減少


韓國內存大廠SK海力士發布截至9月30日的2023財年第三季財報,營收金額為9.0662兆韓元,較第二季增長24%,較2022年同期減少17%。單季營業虧損為1.7920兆韓元,較第二季增長38%,較2022年同期由盈轉虧。淨虧損為2.1847兆韓元,較第二季增長27%,較2022年由盈轉虧,虧損情況較第二季持續縮小。2023年第三季營業虧損率為20%,淨虧損率為24%。

SK海力士表示,因高性能半導體內存產品為中心的市場需求增加,公司業績在第一季低點過後持續改善。其中,特別是針對AI的代表性內存HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等主力產品的銷售勢頭良好,與第二季相較,營收提升24%,營業損失減少38%。

受益高性能內存需求增加,SK海力士第三季虧損持續減少


2023年第一季由盈轉虧的DRAM僅兩季後轉虧為盈,有重要意義。營收增加趨勢,SK海力士解釋,DRAM和NAND Flash閃存整體銷量增長同時,DRAM平均售價(ASP)上升也產生較大影響。

從產品來看,DRAM受益於AI等針對伺服器的高性能產品銷售好轉,與第二季相比出貨量增長了約20%,與此同時ASP也上升約10%。NAND Flash閃存在高容量移動端產品和固態硬盤(SSD)出貨量有增加。預期轉虧為盈的DRAM受到生成型AI熱潮影響,市況有望持續好轉。連續虧損的NAND也隨著市況好轉跡象呈現,公司將竭盡全力保持整體業績的改善趨勢。

SK海力士強調下半年各內存供應商的減產效果明顯,庫存減少客戶正在採購內存,產品價格也進入穩定趨勢。順應趨勢,SK海力士決定增加HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附增值主力產品投資,將進行以第四代10納米級 (1a) 和第五代10納米級 (1b) DRAM為中心的生產線轉換,同時擴大投資HBM TSV技術。

SK海力士首席財務官金祐賢表示,引領高性能內存市場,定位成為未來AI基礎設施的核心公司。今後通過HBM、DDR5 DRAM等SK海力士將占據全球領先地位的產品,創造與以往不同的新市場,持續加強高性能、高端半導體內存第一大供應商地位。

(首圖來源:SK海力士)

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