英特爾目前技術
英特爾晶片代工公開延伸藍圖，將Intel 14A製程納入先進制程進程表，並增加特定節點，不過近日又修改藍圖，Intel 14A提前至2026年，並於2027年增加新製程，即1納米（Intel 10A）。
綜合外媒報道，這是英特爾首度宣布1納米製程開始。英特爾展會時已介紹Intel 10A，但消息封禁到現在才曝光。Intel 10A將於2027年進入生產開發（非量產）階段，Intel 14A（1.4納米）提前至2026年投產。英特爾還致力建造完全自主的AI驅動晶片廠。
英特爾執行副總裁兼代工製造與供應宏觀經濟理Keyvan Esfarjani介紹最新發展，並展示技術藍圖。英特爾2027年底開始開發10A節點，以填補EUV技術的空白。
假設英特爾明年順利推出1.8納米製程，2026年推1.4納米，2027年再躍升至1納米，很可能領先競爭對手台積電。台積電預估2025或2026年開始2納米製程，之後1.4納米製程。
不過，英特爾沒透露10A節點任何細節，但至少有雙位數的功耗與性能改進。英特爾首席執行官Pat Gelsinger曾表示，新製程改善臨界值約14%-15%，因此10A與14A可能也會有這樣改進。
另據英特爾藍圖，Intel 14A也於2027年優化，故10A似乎介於14A和14A-E之間。
值得注意的是，英特爾投影備註，最終規模、速度和製程取決於商業條件和激勵措施，意味著美國晶片法案的資助將影響擴產能力。
Intel 20A同時集成兩項新技術，即背面供電（PowerVIA）和GAAFET（RibbonFET）。此外積極提高Foveros、EMIB、矽光子（SIP）和HBI（混合鍵合互聯，hybrid bond interconnect）先進封裝產能。
英特爾最近結束所有采標準封裝的內部封裝，現在全力投入高端封裝，標準封裝任務由OSAT（專業封測代工廠）完成。
英特爾18A生產基地位於亞利桑那州廠，但沒透露哪裡生產10A節點，並同步俄亥俄州、以色列、德國、馬來西亞和波蘭擴張。
英特爾還重申，生產流程各環節將導入AI，從產能規劃、預測、產量改進到實際生產操作，努力實現「10倍登月」計劃（10X moonshot），但沒有提供進程表，只表示AI協作機器人「Cobots」將來代工廠會與人類並肩工作。
（首圖來源：英特爾）
