今年2月，三星宣布開始量產HBM4。其結合了4nm基礎裸片（Base Die），並搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，從量產初期就實現了穩定的良品率和行業領先性能，加上搶占了先機，使得的
出貨量快速上升，量產四個月後收入就已突破10億美元。
據TrendForce報道，隨著通用DRAM價格增速趨於緩慢，儲存競賽正向下一代HBM轉移，三大原廠開始加大了力度。走在最前的三星也沒有放鬆步伐，HBM4良品率已經從最初量產時的不到60%提升至接近80%，即便在供應緊張的大環境裡，工藝技術也在快速改進。傳聞三星最初設定在2026年末達到80%的良品率目標，顯然現在已經提前實現。
有報告指出，三星在TC-NCF工藝方面有了顯著進步，長期以來這一直被視為HBM生產中的薄弱環節。另外一個關鍵驅動因素的1cnm工藝製造DRAM晶片，今年初三星已經將其良品率推高至80%，為HBM4奠定了穩定的生產基礎，從而推動了HBM4良品率的拉升。
TrendForce預計三星今年的HBM4市場份額將大幅攀升，年末將達到38%，主要得益於其在客戶資格上的領先及更高的出貨預期。SK海力士因資格審核延遲及產能調整而被削減了份額，美光則受限於有限的供應。除了英偉達外，AMD等也打算從三星採購HBM4，避免過度依賴單一供應商。
