數天前，英偉達推出了NVHBM。這是一種定製HBM，進一步擴展了NVLink Fusion生態系統，為XPU帶來更高的內存性能和效率。亞馬遜的Annapurna Labs將成為首個與NVLink Fusion合作開發NVHBM技術的公司，助力打造下一代半定製AI基礎設施。
據DigiTimes報道，三星正在配合英偉達，開發8層堆疊HBM4E，將用於NVHBM，速率在17Gbps至18Gbps之間。如果情況屬實，三星有望在HBM4E時代的定製HBM競爭中搶得先機。
今年5月，三星宣布開始向全球範圍內的主要客戶交付業界首批12層堆疊HBM4E樣品。其採用了1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，搭配4nm（SF4）工藝的基礎裸片（Base Die），初始速率為14Gbps，每堆棧最高可達3.6TB/s的頻寬，比起HBM4提高了20%以上，12層堆疊提供了48GB容量，比起上一代產品也提高了30%以上。
前一段時間三星確認，HBM4E項目進展順利，很快會帶來速率為16Gbps的產品。同時三星計劃根據客戶的需求，另外再提供32GB（8層堆疊）和64GB（16層堆疊）配置。目前來看，當時三星所說的8層堆疊HBM4E有可能就是按照英偉達要求的設計。
雖然過去這些年裡，HBM一直朝著更多堆疊層數的方向發展，但是並不代表低堆疊設計就沒有生存空間，更低的DRAM用量及更高的良品率，可以降低成本，提升出貨規模，更有利於大規模生產。
