近日，一項新型光刻技術為量子點顯示的產業化進程掃清了關鍵障礙。該技術成功解決了在實現超高解析度圖案化的同時，如何保持量子點發光二極體（QD-LED）優異光學性能這一長期難題。
傳統工藝往往在解析度和性能之間難以兼顧。為此，研究團隊開發出一種名為「光交聯混合發光層（b-EML）」的無損直接光刻方法。其核心在於將量子點與一種紫外線響應聚合物混合，通過光照使聚合物瞬間交聯形成穩固網路，從而精準固定並保護量子點，後續僅需溫和溶劑即可顯影出精細圖案，全程避免了損傷性化學處理。
此項技術展現出卓越性能：圖案解析度超過10,000 PPI，並能在4英寸晶圓上製備出像素密度高於1,000 PPI的全彩量子點陣列，完全契合AR/VR等近眼設備對極致清晰度的要求。得益於結構優化，器件發光效率提升1.7倍，運行壽命延長近3倍。
該突破性技術不僅為下一代微型顯示器的量產鋪平道路，其通用性也為集成光電晶片等領域提供了新方案。研究成果已發表於《先進功能材料》期刊，標誌著量子點顯示從實驗室走向商業應用的關鍵一步。
