早在2024年，SK海力士就與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。其中一點是SK海力士將HBM4的基礎裸片（Base Die）生產要轉移到代工廠，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。由於HBM4E將大規模轉向定製HBM，基礎裸片將集成更多功能，改用邏輯工藝成為了必然趨勢，SK海力士也為此提前做好準備。
據TrendForce報道，SK海力士正在考慮從HBM4E起，將部分基礎裸片交由英特爾代工負責，以減少對台積電的依賴，建立多供應商體系，兼顧成本與供應鏈穩定性。如果這一舉措得到確認，可以緩解SK海力士日益加劇的成本壓力。
目前SK海力士採用了成熟的1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝來製造HBM4所需要的DRAM晶片，最大程度地降低了量產過程中的風險。至於HBM4的基礎裸片，雖然台積電提供了5nm和12nm可選，但是主要以後者為主，這也導致了SK海力士在與三星的競爭中有些吃虧。
基礎裸片轉換到代工廠就對HBM產品帶來成本壓力，先進制程節點的高成本可能讓SK海力士的HBM產品定價高於三星。三星本身就有代工廠，預計會從內部生產中獲得潛在的成本優勢。台積電生產的HBM4基礎裸片成本約為SK海力士DRAM晶片的3到4倍，預計到了HBM4E，這一差距還將進一步擴大。
考慮到HBM產品里，中長期供應協議的占比較高，SK海力士很難將成本轉嫁給客戶。如果英特爾代工能分擔部分基礎裸片的生產，將使SK海力士在管理成本方面擁有更大的靈活性，並提升供應的穩定性。最近SK海力士已經在美國加利福尼亞州聖何塞建立HBM架構設計團隊，直接與主要的美國客戶合作，為下一代定製HBM設計提供本地技術支持，同時還會為客戶的產品開發提供協作，貫穿整個產品開發過程。
SK海力士已經對相關報道進行了回應，稱難以確認其技術路線圖的細節，且稱「部分內容與事實不符」。
