SK海力士日前宣布，計劃開發4F2（方形）DRAM，與競爭對手三星十分相似。SK海力士研究員Seo Jae Wook周一（12日）在首爾舉辦的產業會議中指出，自從1c DRAM商用化之後，極紫外線（EUV）製程成本就快速攀升。
Seo Jae Wook認為，現在確認這種方式（使用EUV）製造DRAM是否有利可圖的時刻，目前公司考慮未來DRAM製造垂直閘極（VG），即所謂的「3D DRAM」。
韓媒The Elec介紹，VG是內存製造商內部所稱的「4F2」，這是一種經過大量研究的單元數組結構，其中電晶體以垂直方式堆棧，即所謂的「3D DRAM」。三星將這種3D DRAM稱為「垂直信道電晶體」（vertical channel transistor，簡稱VCT）。
4F2從下而上依次為源極（source）、閘極（gate）、汲極（drain）和電容器（capacitor）。字符線（Word Line）連接到閘極，位元線（Bit Line）則連接到源極。與6F2 DRAM相比，採用這種單元數組可將晶片表面面積減少30%。
知情人士表示，三星和SK海力士目標是10納米製程以下的DRAM應用4F2技術。SK海力士的Seo Jae Wook認為，採用VG或3D DRAM製程設計，可將EUV製程成本降一半。
三星先前宣布成功將3D DRAM堆棧到16層，表示現在不是量產階段，而是可行性驗證階段。
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