SK海力士2026H2重啟大連二廠擴建工程，未來將生產238層NAND快閃記憶體晶片

過去這段時間裡，隨著市場對NAND快閃記憶體需求量激增，製造商在經歷了短暫的停滯後，開始逐步恢復相關擴產計劃。SK海力士已宣布耗資約500億美元，在韓國興建新的NAND快閃記憶體生產線。與此同時，SK海力士也開始推進中國工廠的建設項目。

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據TrendForce報道，SK海力士打算2026年下半年重啟大連二廠的擴建工程，開始安裝生產設備，並分階段完成設施建設，直到2027年上半年。SK海力士的合作夥伴已開始將韓國閒置的設備運往大連，而海外的供應商已經受到設備交付的初步採購訂單。

過去由於美國的限制措施，加上NAND快閃記憶體行情長期處於低迷狀態，SK海力士選擇暫停大連二廠的擴建工程。未來大連二廠將能生產238層NAND快閃記憶體，月產能目標為3萬至5萬片晶圓。與此同時，大連一廠也將切換生產線，更換老舊設備，生產192層NAND快閃記憶體。雖然SK海力士在韓國大張旗鼓地進行投資，但是有報告稱，大連二廠才是SK海力士擴建速度最快的NAND快閃記憶體生產基地。

除了NAND快閃記憶體外，近期SK海力士也在擴建其在中國的DRAM生產設施，正逐步提升無錫工廠的產能。