2月4日消息，據媒體報道，中國領先的存儲企業長鑫存儲(CXMT)已經開始準備必要設備，計劃製造自己的HBM高帶寬內存，以滿足迫切的AI、HPC應用需求。
報道稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單採購製造、組裝、測試HBM內存的必要設備。
這說明，相關開發設計工作已經完成，可以轉入投產階段。
消息人士稱，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美國設備供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口HBM製造設備。
考慮到HBM內存需要先進、複雜的製造和封裝技術，這似乎暗示中芯國際在這方面也已經取得了突破。
目前，長鑫已經在合肥有了一座DRAM內存工廠，正在籌錢建設第二座，會導入更先進的工藝，有可能會同時用來製造HBM。
暫時還不清楚長鑫要生產的HBM是第幾代，可能是HBM3，而國際上已經有了更先進的HBM3E，SK海力士還計劃在2026年搶先投產HBM4。
根據規劃，HBM4將拋棄用了將近十年的1024-bit位寬，首次升級到2048-bit位寬，並有望堆疊更多層級，從而在容量、帶寬上都實現一次重大飛躍。
