在2024年2月21日舉辦IFS Direct Connect活動中，英特爾分享了Intel 18A工藝之後的計劃，公布了新的工藝路線圖，新增了Intel 14A製程技術和數個專業節點的演化版本。在Intel 14A上，英特爾將首次引入High-NA EUV光刻技術，預計2028年試產，2029年量產。
據Wccftech報道，台積電（TSMC）和三星都在積極推動1.4nm製程節點的開發，為此英特爾正在考慮更新工藝路線圖，以更好地應對競爭對手。其中一點便是在原有Intel 14A基礎上推出Intel 14A2（即Intel 14A Gen2），屬於改良版的製程技術。
Intel 18A是英特爾首個支持PowerVia背部供電技術和GAA電晶體架構的製程技術，兩項新技術為其帶來了明顯的PPA優勢。其中PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路（PDN），通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。Intel 14A也將沿用背面供電，採用名為「PowerDirect」的設計，GAA電晶體架構也將升級至「RibbonFET 2」，從而在相同功率下，性能提升15%至20%，或者相同性能下，功耗降低25%至35%，另外電晶體密度也將提高最多30%。
到了Intel 14A2，英特爾計劃縮小最低金屬互連層（M0）的間距，從Intel 14A的28nm縮減至21nm，進一步提升了電晶體密度。原有專為背面供電設計的nTSV結構可能無法滿足電晶體當前的電流密度要求，為此英特爾保留背面供電作為主要供電網路的同時，重新利用部分前部金屬布線，以承擔輔助供電及部分時鐘信號傳輸的任務，從而通過雙面供電設計，緩解供電壓力。
雖然這種方案會增加布線的難度，但是有望在更為先進的製程節點下實現電晶體密度、供電和製造的平衡。
