據Wccftech報道，近日KAIST韓國科學技術院的教授Kim Joungho在本月早些時候的一次講座中，介紹了從HBM4到HBM8的路線圖。大概介紹了未來幾代高帶寬內存（HBM）的主要性能指標、特性和推出時間等。
JEDEC固態存儲協會在今年4月發布了HBM4規範，包括：採用了2048-bit接口，傳輸速度高達8Gb/s，可將總帶寬提高到2TB/s；每個堆棧的獨立通道數量增加了一倍，從16個通道（HBM3）增加到32個通道；支持供應商特定的VDDQ電平；與現有HBM3控制器的向後兼容性；擁有更高的可靠性、可用性和可維護性（RAS）；支持4層、8層、12層和16層DRAM堆棧配置，晶片容量為24Gb或32Gb，單個堆棧最大容量可達64GB。
HBM4將是2026年AI GPU的首選，AMD和英偉達都確認了會在下一代產品中引入。
到了HBM5，接口將進一步提高到4096-bit，總帶寬則提高到4TB/s，採用16層DRAM堆棧，晶片容量為40Gb，單個堆棧容量為80GB；HBM6保持4096-bit接口，傳輸速度提升至16Gb/s，從而讓總帶寬提高到8TB/s，支持16層和20層DRAM堆棧配置，晶片容量為48Gb，單個堆棧容量為96/120GB；HBM7將接口和傳輸速度再一次提升，達到8192-bit和24Gb/s，支持20層和24層DRAM堆棧配置，晶片容量為64Gb，單個堆棧容量為160/192GB，總帶寬提高到24TB/s；HBM8的目標是16384-bit接口，傳輸速度為32Gb/s，支持20層和24層DRAM堆棧配置，晶片容量為80Gb，單個堆棧容量為200/240GB，總帶寬提高到64TB/s。
