本月初英特爾宣布，將與軟銀子公司SAIMEMORY合作，開發名為「Z-Angle Memory（ZAM）」的新型存儲技術。英特爾和軟銀表示，雙方將聚焦下一代DRAM技術，以支持人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）日益增長的需求。隨後英特爾展示了ZAM原型設計，並介紹了新款記憶體未來的發展方向。
據TrendForce報道，PSMC力積電已經與英特爾及軟銀在ZAM記憶體項目展開合作，承擔起試點生產和製造的關鍵角色。這一跨境合作可能讓台灣首次真正進入關鍵的人工智慧（AI）存儲器市場，打破三星、SK海力士和美光長期壟斷的局面。
這次PSMC力積電、英特爾和軟銀子公司SAIMEMORY三方的分工十分明確，軟銀子公司SAIMEMORY負責設計和智慧財產權管理，英特爾貢獻了堆棧和記憶體架構的專業知識，PSMC力積電承擔起製造工作。預計原型設計會在2027年之前完成，商業化量產目標定在2029年。
根據英特爾的介紹，ZAM的核心在於Z-Angle架構，有別於現有HBM矽通孔（TSV）的連接方式，其採用了交錯互聯拓撲結構，即在晶片堆疊內部以對角線方式進行連接，而非直接垂直鑽孔。如果將ZAM與HBM相比較，可能的提升包括：
- 功耗降低40%至50%
- 通過Z-Angle架構簡化製造流程
- 每晶片存儲容量更高（可達512GB）
英特爾稱，ZAM技術上相比現有解決方案最大的優勢在於其熱管理能力。
