特斯拉剛結束的投資人日雖然沒有任何新車動態，引發市場的失望聲浪，但他宣布要在下一代電動汽車平台上縮減75%的碳化矽（SiC）用量，卻成了業界最關注的消息。對此，TrendForce認為，未來電動汽車主逆變器將可能朝SiC/Si IGBT的混合封裝發展，同時，SiC MOSFET的技術可能將由Planar結構轉向Trench結構。
特斯拉會在這次投資人大會中提到未來將減用SiC計劃，TrendForce分析，應該與SiC可靠性以及供應鏈的穩定性確實令其信心不足有關，特別是過去幾年中曾因此出現過Model 3召回事件，當時官方的說法是「後電機逆變器功率半導體組件可能存在微小的製造差異，其中部分車輛使用一段時間後組件製造差異可能會導致後逆變器發生故障，造成逆變器不能正常控制電流」，這裡指向的正是SiC組件。
另一方面，SiC基板材料緊缺的狀況，一直令車廠頭痛，也是整個SiC供應鏈發展的難題。儘管Wolfspeed、英飛凌、意法半導體等主要廠商正在大舉擴展產能，特斯拉一方面也可能是尋求多樣化供應商方案，以防備供應鏈風險。
然而，不可否認的是，SiC依舊是電動汽車製造商未來必須考慮的核心零部件，而這裡指涉的廠商當然也包含特斯拉。考慮到技術變革所帶來的影響，TrendForce認為，特斯拉下一代電動汽車主逆變器可能做出SiC與Si IGBT的混合封裝調整，這是工程設計層面的顛覆性創新，但充滿挑戰。
同時，TrendForce也認為，特斯拉下一代電動汽車關鍵SiC MOSFET技術可能將由Planar結構轉向Trench結構，目前以英飛凌、羅姆、博世為Trench SiC MOSFET主要供應商。上述技術的改變將大幅縮減SiC成本，降低整車系統複雜性與成本，進而推動SiC在中低端車型中的滲透，但可能會對Si IGBT造成一定衝擊。
作為電動汽車用SiC市場的最大風向標，特斯拉種種動向都牽動業界的發展，然而由於特斯拉僅公布下一代電動汽車平台計劃，並未針對推行時機或細節有更進一步消息，因而對SiC產業的整體影響仍需持續觀察。
（首圖來源：特斯拉）
