鎧俠（Kioxia）和閃迪（SanDisk）宣布，第十代BiCS FLASH 1Tb TLC快閃記憶體的樣品已開始出貨，由位於日本岩手縣北上市的半導體生產設施Fab 2（K2）負責製造。鎧俠打算集成到企業級及數據中心SSD中，以滿足AI儲存日益增長的需求。
第十代BiCS FLASH 1Tb TLC快閃記憶體採用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）和OPS（On-Pitch Select Gate Drain）技術，自第八代BiCS FLASH以來這兩項技術就一直沿用。其中CBA是將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨製造，然後粘合在一起，以提供增強的位密度和快速的NAND I/O接口速度。OPS則是通過創新的橫向收縮技術，進一步提升位密度。
第十代BiCS FLASH 1Tb TLC快閃記憶體的層數從第八代BiCS FLASH的218層增至332層，總層數增加了38%，經過優化平面布局後，位密度提升了59%，超過29Gb/mm2，實現了業界領先的1TB TLC快閃記憶體密度；NAND I/O接口速度從3.6Gbps提升至4.8Gbps，提升了33%；寫入和讀取效率分別提升了18%和30%；I/O能效提升，數據輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%；採用Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，引入了PI-LTT技術，以實現高速、低功耗運行。
目前鎧俠同時推進兩條截然不同的產品路線：第九代BiCS FLASH快閃記憶體解決方案以相對低的投資成本來提供高性能表現；第十代BiCS FLASH快閃記憶體解決方案則利用先進的層疊技術，實現超大容量和卓越性能。
