三星在2013年推出了第一款量產的3D NAND快閃記憶體，稱為V-NAND
，並因此領先於競爭對手。三星從24層V-NAND快閃記憶體開始，逐漸積累了豐富的經驗，目前最新量產的是第9代V-NAND快閃記憶體，層數達到了290層。隨著人工智慧（AI）的蓬勃發展，市場除了HBM這類高頻寬儲存器，也需要更多層數的NAND快閃記憶體。此前有消息稱，到2030年，三星會將V-NAND快閃記憶體的層數提高至1000層。
據TECHPOWERUP報道，三星正在穩步朝著1000層NAND快閃記憶體目標邁進，然而隨著製造複雜性增加，僅靠單一晶片無法實現這一目標。三星選擇轉向先進封裝解決方案，利用CMB（Cell Multi-Bonding）技術，這是一種通過混合鍵合實現的晶圓堆疊變體，將兩個450層V-NAND模組堆疊成一個NAND快閃記憶體，從而將層數提升至900層，原型設計的樣品已經得到了驗證。
去年三星在ISSCC 2025上展示了第10代V-NAND快閃記憶體，總層數超過了400層，不僅擁有創紀錄的有源層數和突破性的性能，而且還首次將COP（Cell-on-Periphery）結構和混合鍵合技術結合。新產品的主要目標除了創紀錄的有源層數，重點是COP結構和混合鍵合技術的結合。
憑藉321層4D NAND設計，目前SK海力士保持著量產NAND快閃記憶體的最高層數記錄。三星計劃實現第10代V-NAND快閃記憶體的量產，不過還需要幾個季度的時間。據了解，三星計劃2027年帶來第11代V-NAND技術，將數據傳輸速度提高50%。
