，這些環節對於維持穩定生產至關重要。今年2月三星開始量產HBM4，結合了4nm基礎裸片（Base Die），並搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片。隨著HBM4步入正軌，最近傳出三星決定加快後續HBM產品的開發工作，將開發周期從2年縮短至1年，使其能夠以更快的速度發布下一代HBM產品。
據Wccftech報道，最近有消息人士透露，三星基於1dnm（第七代10nm級別）工藝製造的DRAM晶片在試生產期間，良品率低於預期，計劃無限期推遲大規模生產，直到良品率達到目標。三星可能通過重新全面審查工藝流程，以進一步提高良品率。
三星原來打算將1dnm工藝製造的DRAM晶片用於HBM5E，也就是第九代HBM解決方案。也就是說除了HBM4外，目前1cnm工藝製造的DRAM晶片還將用於HBM4E和HBM5，連續三代HBM產品。傳聞三星可能升級下一代HBM的基礎裸片，改用更先進的2nm工藝。
三星已經投入更多資源在1dnm工藝製造的DRAM晶片上，正在韓國建設一座新工廠。據了解，該工廠占地面積約四個標準足球場那麼大，除了生產DRAM晶片，還會負責封裝、測試、物流和品控等工作，這些環節對於維持穩定的生產至關重要。
