作為全球最大的NAND閃存供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。近日，三星分享了最新的V-NAND技術開發情況，重申了明年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，將超過300層，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。
所謂雙堆棧架構，即在300mm晶圓上先生產一個3D NAND閃存堆棧，然後在原有基礎上再構建另一個堆棧，三星在2020年首次引入該技術。超過300層的第9代V-NAND技術將提高300mm晶圓生產的存儲密度，使得製造商能夠生產更低成本的固態硬盤，或者讓相同存儲密度及性能的固態硬盤變得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321層NAND閃存，成為了業界首家開發300層以上NAND閃存的公司，不知道三星可以做到多少層。
除了提高存儲密度外，新款3D NAND閃存晶片的性能也將得到提升。三星表示，正在致力於開發下一代創造價值的新技術，其中包括了最大化3D NAND閃存輸入/輸出（I/O）速度的新結構。預計三星將帶來990 Pro系列的繼任者，採用PCIe 5.0接口的新一代旗艦SSD。
據了解，三星為了保證產量，可能會在第10代V-NAND技術上引入三堆棧架構，層數將達到430層。這意味著會增加原材料的使用量，並增加每個3D NAND晶圓的成本。去年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出的長期願景是，到2030年會將層數提高至1000層。
