三星西安工廠已完成第一階段生產線升級，推進至236層第8代V-NAND閃存

此前有報道稱，去年三星向其位於西安的NAND閃存工廠投資了4654億韓元，相比於2024年的2778億韓元大幅增加，同比增長了67.5%。這是一個明顯的轉變信號，要知道三星在2020年至2023年之間，基本沒有在這裡進行重大投資。三星計劃升級西安工廠的生產線，從128層第6代V-NAND閃存升到236層第8代V-NAND閃存，目標今年再提升至400層第10代V-NAND閃存。

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據TrendForce報道，三星已經完成了西安NAND閃存工廠第一階段的生產線升級，將逐步淘汰128層第6代V-NAND閃存，同時加快236層第8代V-NAND閃存的量產工作。三星並不打算放慢升級的腳步，第二階段的生產線升級很快便會到來，將升級至286層第9代V-NAND閃存，預計今年內完成，與去年初傳出的消息相符。

舊產品需求減弱是主要的驅動因素，競爭對手憑藉尖端產品快速發展，進一步加速了三星的轉型進程。比如長江存儲（YMTC），去年已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，無論密度還是總層數，都已提高到目前業界的最高水平。

就如之前的報道所言，三星除了第二階段的生產線升級，同時還會為400層第10代V-NAND閃存的生產做好準備工作。