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三星西安工廠已完成第一階段生產線升級,推進至236層第8代V-NAND快閃記憶體

2026年03月31日 首頁 » 熱門科技

此前有報道稱,去年三星向其位於西安的NAND快閃記憶體工廠投資了4654億韓元,相比於2024年的2778億韓元大幅增加,同比增長了67.5%。這是一個明顯的轉變信號,要知道三星在2020年至2023年之間,基本沒有在這裡進行重大投資。三星計劃升級西安工廠的生產線,從128層第6代V-NAND快閃記憶體升到236層第8代V-NAND快閃記憶體,目標今年再提升至400層第10代V-NAND快閃記憶體。

三星西安工廠已完成第一階段生產線升級推進至236層第8代VNAND快閃記憶體

據TrendForce報道,三星已經完成了西安NAND快閃記憶體工廠第一階段的生產線升級,將逐步淘汰128層第6代V-NAND快閃記憶體,同時加快236層第8代V-NAND快閃記憶體的量產工作。三星並不打算放慢升級的腳步,第二階段的生產線升級很快便會到來,將升級至286層第9代V-NAND快閃記憶體,預計今年內完成,與去年初傳出的消息相符。

舊產品需求減弱是主要的驅動因素,競爭對手憑藉尖端產品快速發展,進一步加速了三星的轉型進程。比如長江儲存(YMTC),去年已經開始出貨第五代3D TLC NAND快閃記憶體,共有294層,無論密度還是總層數,都已提高到目前業界的最高水平。

就如之前的報道所言,三星除了第二階段的生產線升級,同時還會為400層第10代V-NAND快閃記憶體的生產做好準備工作。

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