隨著人工智慧（AI）需求提升，三星的代工產線利用率不斷爬升。其中4nm產線自去年末起，已經滿負荷運轉，而且很可能延續到2027年。一方面三星的HBM4開始量產，基礎裸片（Base Die）採用了4nm工藝，加上選擇相同製造技術的Groq LPU訂單激增。為了減輕壓力，三星甚至建議客戶可以轉用自家的5nm工藝，作為替代方案。
據Wccftech報道，由於HBM4的需求超過了供應，迫使三星不得不將更多的4nm產能分配過去。目前三星4nm產線正在全速運行，其中50%至60%產能用於生產HBM4的基礎裸片。三星的4nm產線集中在韓國平澤工廠2號和3號園區，包括S5和S6兩條生產線，月產能為3萬片晶圓，這意味著HBM4占用了至少1.5萬片晶圓。
今年2月，三星宣布開始量產HBM4。其結合了4nm基礎裸片，並搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM晶片，從量產初期就實現了穩定的良品率和行業領先性能，加上搶占了先機，使得出貨量快速上升，量產四個月後收入就已突破10億美元。同時三星HBM4良品率已經從最初量產時的不到60%提升至接近80%，提前實現了最初設定在2026年末達到80%的良品率目標。
過去HBM的基礎裸片都是使用DRAM工藝製造，但是從HBM4時代開始將轉移到代工廠，改用邏輯晶片的工藝，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。特別是定製HBM的到來，其中將集成記憶體控制器等功能模組。三星已經選擇了自家的代工廠生產基礎裸片，而SK海力士和美光則選擇與台積電（TSMC）合作。
