三星電子近日首次披露其2nm製程工藝量產進展及技術參數：相較於3nm製程，新工藝實現性能提升5%、能效優化8%、晶片面積縮減5%。儘管提升幅度略低於行業此前預期，但這一進展標誌著全環繞柵極（GAA）電晶體架構在更先進制程節點上的持續技術演進。
據供應鏈消息，三星首款搭載2nm工藝的SoC晶片為自研Exynos 2600，目前其良品率傳聞在50%至60%區間。該晶片的量產表現將直接檢驗三星在先進制程代工領域的技術實力——尤其在10nm以下高難度製程節點中，良品率的突破已成為爭奪客戶訂單的核心競爭力。
當前全球晶圓代工市場呈現台積電一家獨大的格局，其以70.2%的市場份額穩居行業首位；三星雖位列第二，但市場占有率僅為7.3%，二者差距接近十倍。為此，三星已為晶圓代工業務制定新目標：通過提升2nm工藝良品率及與高價值客戶建立長期合作關係，力爭在兩年內實現盈利並占據全球20%的市場份額。
